個(gè)人介紹

佐佐木公平1981 年出生于日本仙臺(tái)。2006 年，獲得長(zhǎng)岡技術(shù)大學(xué)工程碩士學(xué)位，并加入田村制作所，在期間進(jìn)行了利用臭氧-MBE 和離子注入摻雜技術(shù)開發(fā)了 Ga₂O₃ 同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)。并且對(duì)Ga₂O₃溝槽 MOSSBD、JBS 二極管和溝槽 MOSFET進(jìn)行了開發(fā)工作。2016 年獲得京都大學(xué)工程學(xué)博士學(xué)位。2018 年，加入NCT，利用鹵化物氣相外延生長(zhǎng)的低killer缺陷密度Ga₂O₃同質(zhì)外延薄膜，開發(fā)出 100 安培級(jí)的大尺寸Ga₂O₃ SBD?，F(xiàn)擔(dān)任NCT的首席技術(shù)官兼董事。

本篇綜述介紹了氧化鎵作為功率器件材料的研究進(jìn)展，涵蓋了從塊狀晶體生長(zhǎng)到外延生長(zhǎng)的發(fā)展、缺陷評(píng)估、器件工藝和開發(fā)，以上這些都是基于作者的研究經(jīng)驗(yàn)。在過去十年左右的時(shí)間里，外延片的尺寸已經(jīng)擴(kuò)大到 4-6 英寸，并且也驗(yàn)證了肖特基勢(shì)壘二極管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管能夠進(jìn)行安培級(jí)操作且擊穿電壓達(dá)到幾kV。另一方面，氧化鎵功率器件的實(shí)際應(yīng)用也面臨著挑戰(zhàn)，如外延片的成本、killer缺陷、外延層的純度等。本文全面總結(jié)了氧化鎵發(fā)展的歷史，不僅包括論文，還涵蓋了專利和會(huì)議發(fā)表，并對(duì)這種材料的持續(xù)發(fā)展前景提出了作者的個(gè)人看法。

DOI ：

https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad6b73

本文轉(zhuǎn)載自《亞洲氧化鎵聯(lián)盟》公眾號(hào)